ସାଧାରଣତ speaking କହିବାକୁ ଗଲେ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ, ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ବ୍ୟବହାରରେ ଅଳ୍ପ ପରିମାଣର ବିଫଳତାକୁ ଏଡାଇବା କଷ୍ଟକର | ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣବତ୍ତା ଆବଶ୍ୟକତାର କ୍ରମାଗତ ଉନ୍ନତି ସହିତ, ବିଫଳତା ବିଶ୍ଳେଷଣ ଅଧିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହେବାରେ ଲାଗିଛି | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବିଫଳତା ଚିପ୍ସକୁ ବିଶ୍ଳେଷଣ କରି, ଏହା ସର୍କିଟ ଡିଜାଇନର୍ମାନଙ୍କୁ ଡିଭାଇସ୍ ଡିଜାଇନର ତ୍ରୁଟି, ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରର ମେଳ ଖାଇବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିଥାଏ, ପେରିଫେରାଲ୍ ସର୍କିଟ୍ର ଅଯ ason କ୍ତିକ ଡିଜାଇନ୍ କିମ୍ବା ସମସ୍ୟା ଦ୍ mis ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଭୁଲ ବ୍ୟବହାର | ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିଫଳତା ବିଶ୍ଳେଷଣର ଆବଶ୍ୟକତା ମୁଖ୍ୟତ the ନିମ୍ନଲିଖିତ ଦିଗରେ ଦେଖାଯାଏ:
(1) ଡିଭାଇସ୍ ଚିପ୍ ର ବିଫଳତା ଯନ୍ତ୍ରକ determine ଶଳ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା ପାଇଁ ବିଫଳତା ବିଶ୍ଳେଷଣ ଏକ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ମାଧ୍ୟମ;
(୨) ବିଫଳ ବିଶ୍ଳେଷଣ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ତ୍ରୁଟି ନିରାକରଣ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଆଧାର ଏବଂ ସୂଚନା ପ୍ରଦାନ କରେ;
()) ଚିପ୍ ଡିଜାଇନ୍କୁ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଉନ୍ନତି କିମ୍ବା ମରାମତି କରିବା ଏବଂ ଡିଜାଇନ୍ ସ୍ପେସିଫିକେସନ୍ ଅନୁଯାୟୀ ଏହାକୁ ଅଧିକ ଯୁକ୍ତିଯୁକ୍ତ କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନଙ୍କ ପାଇଁ ବିଫଳ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ମତାମତ ସୂଚନା ପ୍ରଦାନ କରେ |
(4) ବିଫଳତା ବିଶ୍ଳେଷଣ ଉତ୍ପାଦନ ପରୀକ୍ଷଣ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ ଏବଂ ଯାଞ୍ଚ ପରୀକ୍ଷା ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ସୂଚନା ଆଧାର ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଡାୟୋଡ୍, ଅଡିସନ୍ କିମ୍ବା ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ବିଫଳତା ବିଶ୍ଳେଷଣ ପାଇଁ ପ୍ରଥମେ ବ electrical ଦୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ପରୀକ୍ଷା କରାଯିବା ଉଚିତ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ ଅଧୀନରେ ଦେଖାଯିବା ପରେ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଅପସାରଣ କରାଯିବା ଉଚିତ | ଚିପ୍ କାର୍ଯ୍ୟର ଅଖଣ୍ଡତା ବଜାୟ ରଖିବାବେଳେ, ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଏବଂ ବାହ୍ୟ ଲିଡ୍, ବଣ୍ଡିଂ ପଏଣ୍ଟ ଏବଂ ଚିପ୍ ର ପୃଷ୍ଠକୁ ଯଥାସମ୍ଭବ ରଖିବା ଉଚିତ, ଯାହା ଦ୍ analysis ାରା ପରବର୍ତ୍ତୀ ବିଶ୍ଳେଷଣ ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେବ |
ଏହି ବିଶ୍ଳେଷଣ କରିବା ପାଇଁ ସ୍କାନିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପି ଏବଂ ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ ବ୍ୟବହାର: ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ମର୍ଫୋଲୋଜିର ନୀରିକ୍ଷଣ, ବିଫଳତା ପଏଣ୍ଟ ସନ୍ଧାନ, ତ୍ରୁଟି ବିନ୍ଦୁ ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ ଏବଂ ଅବସ୍ଥାନ, ଉପକରଣର ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ଜ୍ୟାମିତିର ଆକାରର ସଠିକ୍ ମାପ ଏବଂ ଡିଜିଟାଲ୍ ପୃଷ୍ଠାର ଯୁକ୍ତିଯୁକ୍ତ ବିଚାରକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରି | ସର୍କିଟ୍ (ଭୋଲଟେଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରାସ୍ ଇମେଜ୍ ପଦ୍ଧତି ସହିତ); ଏହି ବିଶ୍ଳେଷଣ କରିବା ପାଇଁ ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରୋମିଟର କିମ୍ବା ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରୋମିଟର ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ: ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ଉପାଦାନ ରଚନା ବିଶ୍ଳେଷଣ, ପଦାର୍ଥ ଗଠନ କିମ୍ବା ପ୍ରଦୂଷକ ବିଶ୍ଳେଷଣ |
01। ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ପୃଷ୍ଠଭୂମି ତ୍ରୁଟି ଏବଂ ଜଳିବା |
ଚିତ୍ର 1 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ସର୍ଫେସ୍ ତ୍ରୁଟି ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଜଳିବା ଉଭୟ ସାଧାରଣ ବିଫଳତା ମୋଡ୍, ଯାହା ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ର ଶୁଦ୍ଧ ସ୍ତରର ତ୍ରୁଟି |
ଚିତ୍ର 2 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ମେଟାଲାଇଜଡ୍ ସ୍ତରର ଭୂପୃଷ୍ଠ ତ୍ରୁଟି ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 3 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ର ଦୁଇଟି ଧାତୁ ଷ୍ଟ୍ରିପ୍ ମଧ୍ୟରେ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 4 ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଉପକରଣରେ ଥିବା ଏୟାର ବ୍ରିଜ୍ ଉପରେ ଧାତୁ ଷ୍ଟ୍ରିପ୍ ଭୁଶୁଡ଼ିବା ଏବଂ ସ୍କେ ଡିଫର୍ମେସନ୍ ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 5 ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଗ୍ରୀଡ୍ ବର୍ନଆଉଟ୍ ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 6 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକାଲ୍ ମେଟାଲାଇଜଡ୍ ତାରରେ ଯାନ୍ତ୍ରିକ କ୍ଷତି ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 7 ମେସା ଡାୟୋଡ୍ ଚିପ୍ ଖୋଲିବା ଏବଂ ତ୍ରୁଟି ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 8 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଇନପୁଟ୍ ରେ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଡାୟୋଡ୍ ଭାଙ୍ଗିବା ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 9 ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଚିପ୍ ର ଉପର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପ୍ରଭାବ ଦ୍ୱାରା କ୍ଷତିଗ୍ରସ୍ତ ହୋଇଛି |
ଚିତ୍ର 10 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଚିପ୍ ର ଆଂଶିକ ବର୍ନଆଉଟ୍ ଦେଖାଏ |
ଚିତ୍ର 11 ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଡାୟୋଡ୍ ଚିପ୍ ଭାଙ୍ଗିଗଲା ଏବଂ ଗୁରୁତର ଭାବରେ ଜଳିଗଲା, ଏବଂ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ପଏଣ୍ଟଗୁଡିକ ତରଳିବା ଅବସ୍ଥାରେ ପରିଣତ ହେଲା |
ଚିତ୍ର 12 ରେ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ପାୱାର୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଚିପ୍ ପୋଡିଯାଇଥିବା ଦେଖାଯାଇଛି, ଏବଂ ପୋଡିଯାଇଥିବା ବିନ୍ଦୁ ଏକ ତରଳ ସ୍ପଟର୍ଙ୍ଗ ସ୍ଥିତିକୁ ଉପସ୍ଥାପନ କରେ |
02। ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଭାଙ୍ଗିବା |
ଉତ୍ପାଦନ, ପ୍ୟାକେଜିଂ, ପରିବହନ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡରେ ସନ୍ନିବେଶ, ୱେଲଡିଂ, ମେସିନ୍ ଆସେମ୍ବଲି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସ୍ଥିର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବିପଦରେ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ବାରମ୍ବାର ଗତି ଏବଂ ବାହ୍ୟ ଜଗତ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ଷ୍ଟାଟିକ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ସହଜରେ ଏକ୍ସପୋଜର୍ ହେତୁ ପରିବହନ କ୍ଷତିଗ୍ରସ୍ତ ହୁଏ | ତେଣୁ, କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ପରିବହନ ଏବଂ ପରିବହନ ସମୟରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ସୁରକ୍ଷା ପ୍ରତି ବିଶେଷ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଉଚିତ୍ |
ୟୁନିପୋଲାର୍ MOS ଟ୍ୟୁବ୍ ଏବଂ MOS ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ସହିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ ଷ୍ଟାଟିକ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍, ବିଶେଷକରି MOS ଟ୍ୟୁବ୍ ପ୍ରତି ବିଶେଷ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ, କାରଣ ଏହାର ଇନପୁଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଅଧିକ, ଏବଂ ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ ବହୁତ ଛୋଟ, ତେଣୁ ଏହା ଅତି ସହଜ | ବାହ୍ୟ ବ elect ଦ୍ୟୁତିକ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର କିମ୍ବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଇନଡକ୍ସନ୍ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବିତ ଏବଂ ଚାର୍ଜ, ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଉତ୍ପାଦନ ହେତୁ ସମୟ ସମୟରେ ଚାର୍ଜ ଡିସଚାର୍ଜ କରିବା କଷ୍ଟକର, ତେଣୁ ଉପକରଣର ତତକ୍ଷଣାତ୍ ଭାଙ୍ଗିବାରେ ଷ୍ଟାଟିକ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଜମା ହେବା ସହଜ ଅଟେ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ର ରୂପ ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟତ electrical ବ electrical ଦୁତିକ ଚତୁର ବ୍ରେକଡନ୍, ଅର୍ଥାତ୍ ଗ୍ରୀଡ୍ର ପତଳା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଭାଙ୍ଗି ଏକ ପିନ୍ହୋଲ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ଗ୍ରୀଡ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ କିମ୍ବା ଗ୍ରୀଡ୍ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ମଧ୍ୟରେ ବ୍ୟବଧାନକୁ ଛୋଟ କରିଥାଏ |
ଏବଂ MOS ଟ୍ୟୁବ୍ ସହିତ MOS ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଆଣ୍ଟିଷ୍ଟାଟିକ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ କ୍ଷମତା ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଭଲ, କାରଣ MOS ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ର ଇନପୁଟ୍ ଟର୍ମିନାଲ୍ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଡାୟୋଡ୍ ସହିତ ସଜ୍ଜିତ | ଥରେ ସେଠାରେ ଏକ ବଡ଼ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ କିମ୍ବା ସର୍ଜ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ରହିଲେ ଅଧିକାଂଶ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଡାୟୋଡ୍ ଭୂମିରେ ସୁଇଚ୍ ହୋଇପାରେ, କିନ୍ତୁ ଯଦି ଭୋଲଟେଜ୍ ବହୁତ ଅଧିକ କିମ୍ବା ତତକ୍ଷଣାତ୍ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫେସନ୍ କରେଣ୍ଟ ବହୁତ ବଡ ହୁଏ, ବେଳେବେଳେ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଡାୟୋଡ୍ ନିଜେ ଚିତ୍ରରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି | 8
ଚିତ୍ର 13 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ଅନେକ ଚିତ୍ର ହେଉଛି MOS ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଟପୋଗ୍ରାଫି | ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ପଏଣ୍ଟ ଛୋଟ ଏବଂ ଗଭୀର, ଏକ ତରଳ ସ୍ପଟର୍ଙ୍ଗ ସ୍ଥିତିକୁ ଉପସ୍ଥାପନ କରେ |
ଚିତ୍ର 14 ଏକ କମ୍ପ୍ୟୁଟର ହାର୍ଡ ଡିସ୍କର ଚୁମ୍ବକୀୟ ମୁଣ୍ଡର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଭାଙ୍ଗିବାର ଦୃଶ୍ୟ ଦେଖାଏ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜୁଲାଇ -08-2023 |